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IRFS254B_FP001

更新时间： 2024-11-24 21:07:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 643K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRFS254B_FP001 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.92配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：90 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

IRFS254B_FP001 数据手册

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November 2001  
IRFS254B  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters and  
switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
16A, 250V, R  
= 0.14Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 95 nC)  
Low Crss ( typical 60 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-3PF  
IRFS Series  
!
S
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFS254B  
250  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
16  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
10.1  
64  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
700  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
16  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
9.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.8  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
90  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.72  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.38  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
--  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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