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IRFS30N20D

更新时间： 2024-01-20 19:47:22
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IRFS30N20D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.18雪崩能效等级（Eas）：420 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.082 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS30N20D 数据手册

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PD- 93832  
IRFB30N20D  
IRFS30N20D  
IRFL30N20D  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
VDSS  
200V  
RDS(on) max  
ID  
30A  
0.082Ω  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
IRFS30N20D  
TO-262  
IRFL30N20D  
TO-220AB  
IRFB30N20D  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
21  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
120  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.1  
W
Power Dissipation  
200  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
2.1  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Typical SMPS Topologies  
l Telecom 48V Input Forward Converters  
Notes  through ‡are on page 11  
www.irf.com  
1
1/3/2000  
1234567...11

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与IRFS30N20D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS30N20DTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS30N20DTRR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
IRFS30N20DTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3107 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3107-7P INFINEON

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IRFS3107-7PPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3107PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3107TRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3107TRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS31N20D INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)

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