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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 195 A | 最大漏源导通电阻： | 0.00175 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1310 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS3004-7P | INFINEON |
获取价格 |
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pa |
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| IRFS3004-7PPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS3004PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS3004TRL-7P | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IRFS3004TRL7PP | INFINEON |
获取价格 |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
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| IRFS3004TRL-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRFS3004TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IRFS3006 | INFINEON |
获取价格 |
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
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| IRFS3006-7P | INFINEON |
获取价格 |
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 |
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| IRFS3006-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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