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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS250A | INFINEON |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFS250B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS251 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20.7A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS252 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFS253 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFS254 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247VAR |
|
| IRFS254A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS254B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS254B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFS3004 | INFINEON |
获取价格 |
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
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