是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-263 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.31 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 140 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.2 A | 最大漏源导通电阻: | 2.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 55 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12.8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQB3N30TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQB3N40 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
FQB3N40TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQB3N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQB3N60C | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQB3N60C_0605 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQB3N60CTM | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQB3N60TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FQB3N80 | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET | |
FQB3N80TM | FAIRCHILD |
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