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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.31 | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11.2 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB3P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
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| FQB3P50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FQB44N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
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| FQB44N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQB44N10TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，43.5 A，52 mΩ，D2PAK |
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| FQB44N10TM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| FQB45N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQB45N03LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB45N15V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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| FQB45N15V2TM | ROCHESTER |
获取价格 |
45A, 150V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, D2PAK-3 |
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