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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-263 |
| 包装说明： | D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 45.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.042 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 182.4 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB47P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
|
| FQB47P06TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FQB47P06TM_AM002 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-47 A，26 mΩ，D2PAK |
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| FQB4N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQB4N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQB4N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB4N20TM | ROCHESTER |
获取价格 |
3.6A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| FQB4N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQB4N25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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