5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB47P06
FQB47P06 PDF预览

FQB47P06

更新时间： 2024-10-01 22:15:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 721K
描述
60V P-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQB47P06 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：820 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：188 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB47P06 数据手册

 浏览型号FQB47P06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQB47P06的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQB47P06的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQB47P06的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQB47P06的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQB47P06的Datasheet PDF文件第7页 
May 2001  
TM  
QFET  
FQB47P06 / FQI47P06  
60V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as automotive,  
DC/DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
-47A, -60V, R  
= 0.026Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 84 nC)  
Low Crss ( typical 320 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
S
!
D
●
●
G!  
▶
▲
●
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB47P06 / FQI47P06  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-60  
-47  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
-33.2  
-188  
± 25  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
820  
mJ  
A
AS  
-47  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
16  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-7.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
160  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.06  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.94  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2. May 2001  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

FQB47P06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQB47P06TM FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQB47P06TM_AM002 FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与FQB47P06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB47P06TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQB47P06TM_AM002 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQB47P06TM-AM002 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-47 A，26 mΩ，D2PAK
FQB4N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQB4N20L FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB4N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQB4N20TM ROCHESTER

获取价格

 		3.6A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
FQB4N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQB4N25TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB4N50 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET

与FQB47P06相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证