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FQB4N50

更新时间: 2024-11-23 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 740K
描述
500V N-Channel MOSFET

FQB4N50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-263包装说明:D2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.77
雪崩能效等级(Eas):260 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.4 A最大漏极电流 (ID):3.4 A
最大漏源导通电阻:2.7 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):13.6 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQB4N50 数据手册

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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 400V, 3.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met