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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 52 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP297 | INFINEON |
功能相似  |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB5N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQB5N30TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQB5N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQB5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQB5N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB5N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQB5N50CFTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQB5N50CFTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB5N50CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQB5N50CTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，5 A，1.4 Ω，D2PAK |
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