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FQB5N90

更新时间： 2024-11-01 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 684K
描述
900V N-Channel MOSFET

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FQB5N90 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.34雪崩能效等级（Eas）：660 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 A
最大漏极电流 (ID)：5.4 A最大漏源导通电阻：2.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：158 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：21.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB5N90 数据手册

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September 2000  
TM  
QFET  
FQB5N90 / FQI5N90  
900V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
•
5.4A, 900V, R  
= 2.3 Ω @ V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 31 nC)  
Low Crss ( typical 13 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
!
G
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB5N90 / FQI5N90  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
900  
5.4  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
3.42  
21.6  
± 30  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
660  
mJ  
A
5.4  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
15.8  
4.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
158  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.27  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.79  
40  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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