5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB6N40CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQB6N40CFTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQB6N40CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| FQB6N40CTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，6 A，1.0 Ω，D2PAK |
|
| FQB6N40CTN | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FQB6N40TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQB6N45 | FAIRCHILD |
获取价格 |
450V N-Channel MOSFET |
|
| FQB6N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB6N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQB6N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
