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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB70N08
FQB70N08 PDF预览

FQB70N08

更新时间： 2024-10-01 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 674K
描述
80V N-Channel MOSFET

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FQB70N08 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：155 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB70N08 数据手册

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August 2000  
TM  
QFET  
FQB70N08 / FQI70N08  
80V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, high  
efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
70A, 80V, R  
= 0.017Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 75 nC)  
Low Crss ( typical 180 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB70N08 / FQI70N08  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
80  
70  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
49.5  
280  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
1150  
70  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
15.5  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
155  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.03  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.97  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, August 2000  
1234567...9

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FQB70N08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDB3652 ONSEMI

功能相似

 N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16m

与FQB70N08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB70N08TM FAIRCHILD

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 		FQB70N08 / FQI70N08 80V N-Channel MOSFET
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FQB70N10TM ROCHESTER

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 		57A, 100V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3
FQB70N10TM FAIRCHILD

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