5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB70N08
FQB70N08 PDF预览

FQB70N08

更新时间： 2024-11-23 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 674K
描述
80V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQB70N08 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：155 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB70N08 数据手册

 浏览型号FQB70N08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQB70N08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQB70N08的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQB70N08的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQB70N08的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQB70N08的Datasheet PDF文件第7页 
August 2000  
TM  
QFET  
FQB70N08 / FQI70N08  
80V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, high  
efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
70A, 80V, R  
= 0.017Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 75 nC)  
Low Crss ( typical 180 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB70N08 / FQI70N08  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
80  
70  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
49.5  
280  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
1150  
70  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
15.5  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
155  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.03  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.97  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, August 2000  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

FQB70N08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDB3652 ONSEMI

功能相似

 N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16m

与FQB70N08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB70N08TM FAIRCHILD

获取价格

 		FQB70N08 / FQI70N08 80V N-Channel MOSFET
FQB70N10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQB70N10TM ROCHESTER

获取价格

 		57A, 100V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3
FQB70N10TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB7N10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQB7N10L FAIRCHILD

获取价格

 		100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB7N10LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB7N10TM ROCHESTER

获取价格

 		7.3A, 100V, 0.35ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
FQB7N10TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB7N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET

与FQB70N08相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证