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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB7N10L
FQB7N10L PDF预览

FQB7N10L

更新时间： 2024-11-23 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 558K
描述
100V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQB7N10L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：0.38 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：29.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB7N10L 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQB7N10L / FQI7N10L  
100V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
•
7.3A, 100V, R  
Low gate charge ( typical 4.6 nC)  
Low Crss ( typical 12 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
= 0.35Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as high  
efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
Low level gate drive requirments allowing  
direct operationfrom logic drives  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB7N10L / FQI7N10L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
100  
7.3  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.15  
29.2  
± 20  
50  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
7.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
40  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.27  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.75  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

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与FQB7N10L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB7N10LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB7N10TM ROCHESTER

获取价格

 		7.3A, 100V, 0.35ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
FQB7N10TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB7N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQB7N20L FAIRCHILD

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 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB7N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQB7N30 FAIRCHILD

获取价格

 		300V N0Channel MOSFET
FQB7N30TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 300V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQB7N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQB7N40TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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