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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-263 |
| 包装说明： | D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 85 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB8N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FQB8N25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQB8N25TM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQB8N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQB8N60CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQB8N60CFTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQB8N60CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQB8N60CTM | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω |
|
| FQB8N90CTM | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET |
|
| FQB8P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
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