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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB9N08L
FQB9N08L PDF预览

FQB9N08L

更新时间： 2024-11-23 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 614K
描述
80V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQB9N08L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：55 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.3 A
最大漏极电流 (ID)：9.3 A最大漏源导通电阻：0.23 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：37.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB9N08L 数据手册

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June 2000  
TM  
QFET  
FQB9N08L / FQI9N08L  
80V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, high  
efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
•
9.3A, 80V, R  
= 0.21Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.7 nC)  
Low Crss ( typical 16 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
Low level gate drive requirments allowing  
direct operation from logic drives  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB9N08L / FQI9N08L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
80  
9.3  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
6.57  
37.2  
± 20  
55  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
9.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
40  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.27  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.75  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, June 2000  
1234567...9

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与FQB9N08L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB9N08TM ROCHESTER

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 		9.3A, 80V, 0.21ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
FQB9N15 FAIRCHILD

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 		150V N-Channel MOSFET
FQB9N15TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQB9N25 FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
FQB9N25C FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
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 		300V N-Channel MOSFET
FQB9N30TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 300V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		500V N-Channel MOSFET

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