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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD10N20C
FQD10N20C PDF预览

FQD10N20C

更新时间： 2024-02-12 03:35:29
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 590K
描述
200V N-Channel MOSFET

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FQD10N20C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：180 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.6 A最大漏极电流 (ID)：7.6 A
最大漏源导通电阻：0.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD10N20C 数据手册

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®
QFET  
FQD10N20C / FQU10N20C  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supplies and motor controls.  
•
•
•
•
•
•
7.8A, 200V, R  
= 0.36Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 20 nC)  
Low Crss ( typical 40.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD10N20C / FQU10N20C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
7.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.0  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
31.2  
± 30  
210  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
7.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
50  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.4  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.5  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2003  
1234567...9

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与FQD10N20C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD10N20C_09 FAIRCHILD

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 		200V N-Channel MOSFET
FQD10N20CTF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD10N20CTF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD10N20CTM FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm
FQD10N20CTM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，10 A，360 mΩ，DPAK
FQD10N20L FAIRCHILD

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 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD10N20L_13 FAIRCHILD

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 		N-Channel QFET MOSFET
FQD10N20LTF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD10N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD10N20LTM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，7.6 A，380 mΩ，

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