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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.36 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD10N20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQD11P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQD11P06_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQD11P06TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| FQD11P06TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQD11P06TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-9.4 A，185 mΩ，DPAK |
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| FQD11P06TM_SB82077 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FQD1200MK5 | NXP |
获取价格 |
Hybrid analog/digital video module |
|
| FQD12N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQD12N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
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