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FQD12N20LTM_F085 PDF预览

FQD12N20LTM_F085

更新时间： 2024-11-24 19:56:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 716K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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FQD12N20LTM_F085 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：5.13外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.32 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：22 pFJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：380 ns
最大开启时间（吨）：430 nsBase Number Matches：1

FQD12N20LTM_F085 数据手册

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June 2010  
FQD12N20LTM_F085  
200V Logic Level N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supply, motor control.  
•
•
•
•
•
•
•
9.0A, 200V, R  
= 0.28Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 16 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Low level gate drive requirement allowing direct  
opration from logic drivers  
Qualified to AEC Q101  
•
•
RoHS Compliant  
ꢁ
!
D
"
! "  
"
!
ꢂ
"
D-PAK  
G
S
!
ꢀ
Absolute Maximum  
T
= 25°C unless otherwise noted  
Ratings  
C
Symbol  
Parameter  
FQD12N20LTM_F085  
Units  
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
9.0  
5.7  
36  
V
A
A
A
V
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
DM  
V
I
Gate-Source Voltage  
Avalanche Current  
± 20  
GSS  
(Note 1)  
(Note 2)  
9.0  
A
AR  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.5  
2.5  
V/ns  
W
Power Dissipation (T = 25°C) *  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
55  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.44  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.27  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FQD12N20LTM_F085 Rev. B  
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FQD12N20LTM_F085 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD12N20LTM-F085 ONSEMI

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FQD12N20LTM-F085 ONSEMI

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FQD12N20TF ROCHESTER

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FQD12N20TM FAIRCHILD

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ，DPAK
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 		POWER, FET

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