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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 5.13 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.32 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 22 pF | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 380 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 430 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FQD12N20LTM-F085 | ONSEMI | Power Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconduc |
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| FQD12N20TF | ROCHESTER | 9A, 200V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FQD12N20TM | FAIRCHILD | N-Channel QFET MOSFET 200 V, 9 A, 280 m |
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| FQD12N20TM | ONSEMI | 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ，DPAK |
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| FQD12P10 | FAIRCHILD | 100V P-Channel MOSFET |
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| FQD12P10TF | ROCHESTER | 9.4A, 100V, 0.29ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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