是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.27 |
雪崩能效等级(Eas): | 85 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 0.14 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD13N06TM | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 10 A, 140 mΩ |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD13N06TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FQD13N06TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 10 A, 140 mΩ | |
FQD13N06TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,60 V,10 A,140 mΩ,DPAK | |
FQD13N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQD13N10_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQD13N10_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET | |
FQD13N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQD13N10LTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 | |
FQD13N10LTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,100 V,10 A,180 mΩ,D | |
FQD13N10LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |