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FQD14N15 PDF预览

FQD14N15

更新时间： 2024-11-19 22:25:31
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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9页 770K
描述
150V N-Channel MOSFET

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FQD14N15 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.21 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD14N15 数据手册

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FQD14N15 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PHM18NQ15T,518 NXP

功能相似

 PHM18NQ15T

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD14N15TF FAIRCHILD

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FQD16N15 FAIRCHILD

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 		150V N-Channel MOSFET
FQD16N15TF FAIRCHILD

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FQD16N15TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.8A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQD16N25C FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
FQD16N25C_12 FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
FQD16N25CTF FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
FQD16N25CTF_12 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQD16N25CTM FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQD16N25CTM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，16 A，270 mΩ，DPAK

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