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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD16N25CTM
FQD16N25CTM PDF预览

FQD16N25CTM

更新时间： 2024-10-02 03:37:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 688K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FQD16N25CTM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：432 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD16N25CTM 数据手册

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March 2006  
®
QFET  
FQD16N25C  
250V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
16A, 250V, RDS(on) = 0.27Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 41 nC)  
Low Crss ( typical 68 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficiency switching DC/DC converters, switch mode power  
supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supplies  
and motor controls.  
D
G
D-PAK  
FQD Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQD16N25C  
Units  
V
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
250  
16  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
A
10.1  
64  
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 30  
432  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
16  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
160  
mJ  
V/ns  
W
5.5  
160  
- Derate above 25°C  
1.28  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQD16N25C  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.78  
110  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
°C/W  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD16N25C Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FQD16N25CTM 替代型号

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