FQD16N25CTF

更新时间： 2024-11-24 03:37:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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250V N-Channel MOSFET

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FQD16N25CTF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	432 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FQD16N25CTF 数据手册

March 2006

QFET

FQD16N25C

250V N-Channel MOSFET

Features

Description

•

16A, 250V, R_DS(on)= 0.27Ω @V_GS= 10 V

Low gate charge ( typical 41 nC)

Low Crss ( typical 68 pF)

Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar

stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the avalanche

and commutation mode. These devices are well suited for high

efficiency switching DC/DC converters, switch mode power

supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supplies

and motor controls.

D-PAK

FQD Series

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

FQD16N25C

Units

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

250

Drain Current

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_C= 100°C)

- Pulsed

10.1

(Note 1)

I_DM

Drain Current

V_GSS

E_AS

I_AR

Gate-Source Voltage

± 30

432

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

P_D

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation (T_C= 25°C)

160

V/ns

5.5

160

- Derate above 25°C

1.28

-55 to +150

W/°C

°C

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

300

°C

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

FQD16N25C

Units

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

0.78

110

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

FQD16N25C Rev. A

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FQD16N25CTM	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，16 A，270 mΩ，DPAK
FQD16N25CTM_12	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel MOSFET
FQD17N08	FAIRCHILD	获取价格	80V N-Channel MOSFET
FQD17N08L	FAIRCHILD	获取价格	80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD17N08LTF	ROCHESTER	获取价格	12.9A, 80V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD17N08LTF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12.9A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQD17N08LTM	ROCHESTER	获取价格	12.9A, 80V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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