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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD18N20V2TM
FQD18N20V2TM PDF预览

FQD18N20V2TM

更新时间： 2024-10-02 12:34:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 737K
描述
N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm

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FQD18N20V2TM 数据手册

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April 2013  
FQD18N20V2 / FQU18N20V2  
N-Channel QFET® MOSFET  
200 V, 15 A, 140 mΩ  
Description  
Features  
15 A, 200 V, R  
•
ID = 7.5 A  
= 140 mΩ @ V = 10 V,  
GS  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to  
reduce on-state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy  
strength. These devices are suitable for switched mode  
power supplies, active power factor correction (PFC), and  
electronic lamp ballasts.  
DS(on)  
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 20 nC)  
Low Crss (Typ. 25 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
!
D
"
G
G
! "  
D
"
"
G !  
S
S
!
S
I-PAK  
D-PAK  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD18N20V2 / FQU18N20V2  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
15  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
9.75  
60  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
340  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
15  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
8.3  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
83  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.67  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQD18N20V2 / FQU18N20V2  
Unit  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
1.5  
50  
θJC  
θJA  
θJA  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
FQD18N20V2 / FQU18N20V2 Rev. C0  
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FQD18N20V2TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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