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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 11.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FQD1N80 | FAIRCHILD | 800V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N80_09 | FAIRCHILD | 800V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N80TF | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| FQD1N80TM | ONSEMI | 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，1.0 A，20 Ω，DPAK |
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| FQD1N80TM_NL | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| FQD1P50 | FAIRCHILD | 500V P-Channel MOSFET |
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