5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD19N10TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQD19N10TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，15.6 A，63 mΩ，DPAK |
|
| FQD19N10TM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQD1N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQD1N50B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQD1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQD1N60C | KERSEMI |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQD1N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQD1N60C_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQD1N60CTF | ROCHESTER |
获取价格 |
1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
