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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.31 | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.1 A | 最大漏源导通电阻： | 9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD1N50B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60C | KERSEMI |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60C_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60CTF | ROCHESTER |
获取价格 |
1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 |
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| FQD1N60CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQD1N60CTF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQD1N60CTM | ROCHESTER |
获取价格 |
1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 |
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| FQD1N60CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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