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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 11.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD1N60TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQD1N60TM | ROCHESTER |
获取价格 |
1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| FQD1N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQD1N80_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQD1N80TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FQD1N80TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，1.0 A，20 Ω，DPAK |
|
| FQD1N80TM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FQD1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
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| FQD20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQD20N06 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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