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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD20N06TM
FQD20N06TM PDF预览

FQD20N06TM

更新时间： 2024-01-26 20:54:41
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 545K
描述
N-Channel QFET MOSFET

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FQD20N06TM 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.17
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：155 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：16.8 A
最大漏源导通电阻：0.063 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：67.2 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD20N06TM 数据手册

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April 2013  
FQD20N06  
N-Channel QFET MOSFET  
®
60 V, 16.8 A, 63 m  
Description  
Features  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on-state resistance, and to provide superior switching  
performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies,  
audio amplifier, DC motor control, and variable switching  
power applications.  
•
16.8 A, 60 V, RDS(on) = 63 m(Max) @ VGS = 10V,  
D = 8.4 A  
I
•
•
•
Low Gate Charge (Typ.11.5 nC)  
Low Crss (Typ. 25 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
D
   
G
G
D-PAK  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQD20N06  
60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
16.8  
10.6  
67.2  
25  
A
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
155  
mJ  
A
16.8  
3.8  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TA = 25°C) *  
mJ  
V/ns  
W
7.0  
2.5  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
38  
W
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.30  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
300  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQD20N06  
3.28  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RJC  
RJA  
RJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.  
50  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
1
www.fairchildsemi.com  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD20N06 Rev. C0  
12345678

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FQD20N06TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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