是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DPAK |
包装说明: | DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 3.13 |
雪崩能效等级(Eas): | 155 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 16.8 A | 最大漏极电流 (ID): | 16.8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.063 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 38 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 67.2 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD20N06TF | FAIRCHILD |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 16.8A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FDD107AN06LA0 | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 10A, 107m | |
NTD20N06LT4G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD24N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET | |
FQD24N08TF | FAIRCHILD |
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80V N-Channel MOSFET | |
FQD24N08TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19.6A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQD26N03L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-252AA | |
FQD26N03LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
FQD2N100 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V N-Channel MOSFET | |
FQD2N100TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V N-Channel MOSFET | |
FQD2N100TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,1000 V,1.6 A,9 Ω,DPAK | |
FQD2N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET | |
FQD2N30TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |