是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING |
雪崩能效等级(Eas): | 110 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.2 A |
最大漏源导通电阻: | 10.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 38 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 4.8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD20N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQD20N06 | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
FQD20N06_09 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQD20N06L | FAIRCHILD |
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60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQD20N06LE | FAIRCHILD |
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60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQD20N06LETF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQD20N06LETM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQD20N06LTF | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQD20N06LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQD20N06TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16.8A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |