5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD24N08TM
FQD24N08TM PDF预览

FQD24N08TM

更新时间： 2024-01-06 00:12:21
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 709K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19.6A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQD24N08TM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19.6 A最大漏极电流 (ID)：19.6 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：78.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD24N08TM 数据手册

 浏览型号FQD24N08TM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQD24N08TM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQD24N08TM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQD24N08TM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQD24N08TM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQD24N08TM的Datasheet PDF文件第7页 
August 2000  
TM  
QFET  
FQD24N08 / FQU24N08  
80V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, high  
efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
19.6A, 80V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 19 nC)  
Low Crss ( typical 50 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
!
G
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQD24N08 / FQU24N08  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
80  
19.6  
12.4  
78.4  
± 25  
230  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
A
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
19.6  
5.0  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TA = 25°C) *  
mJ  
V/ns  
W
6.5  
2.5  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
50  
W
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.4  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
300  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.5  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, August 2000  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

FQD24N08TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR024NTRPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET® Power MOSFET
NTD3055L104T4G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET
NTD18N06LT4G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET

与FQD24N08TM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD26N03L ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-252AA
FQD26N03LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
FQD2N100 FAIRCHILD

获取价格

 		1000V N-Channel MOSFET
FQD2N100TM FAIRCHILD

获取价格

 		1000V N-Channel MOSFET
FQD2N100TM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，1.6 A，9 Ω，DPAK
FQD2N30 FAIRCHILD

获取价格

 		300V N-Channel MOSFET
FQD2N30TF FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FQD2N30TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD2N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQD2N40TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FQD24N08TM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证