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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD24N08
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FQD24N08

更新时间： 2024-09-23 22:25:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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9页 709K
描述
80V N-Channel MOSFET

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FQD24N08 数据手册

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August 2000  
TM  
QFET  
FQD24N08 / FQU24N08  
80V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, high  
efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
19.6A, 80V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 19 nC)  
Low Crss ( typical 50 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
!
G
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQD24N08 / FQU24N08  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
80  
19.6  
12.4  
78.4  
± 25  
230  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
A
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
19.6  
5.0  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TA = 25°C) *  
mJ  
V/ns  
W
6.5  
2.5  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
50  
W
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.4  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
300  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.5  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, August 2000  
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FQD24N08 替代型号

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