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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.63 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 4628367 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | TO220AB 2 |
| Samacsys Released Date： | 2019-10-17 14:50:52 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 71 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 17 A | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ24NPBF | INFINEON |
类似代替  |
Logic-Level Gate Drive, Advanced Process Technology |
|
| IRFZ44ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
|
| IRF9Z34NPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET㈢ POWER MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ24NS | TRSYS |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ24NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
|
| IRFZ24NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFZ24NSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ24NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ24NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ24PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ24PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ24S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ24S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
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