IRFZ24PBF

更新时间： 2024-01-22 02:32:41

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFZ24PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	0.67	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A
最大漏极电流 (ID)：	17 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFZ24PBF 数据手册

IRFZ24, SiHFZ24

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.10

Q_g(Max.) (nC)

5.8

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

TO-220AB

The TO-220AB package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220AB contribute to its

wide acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220AB

IRFZ24PbF

SiHFZ24-E3

IRFZ24

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ24

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

T_C= 100 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

0.40

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

E_AS

P_D

100

T_C= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 403 μH, R_g= 25 , I_AS= 17 A (see fig. 12).

c. I_SD 17 A, dI/dt  140 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91406

S11-0521-Rev. B, 21-Mar-11

www.vishay.com

This datasheet is subject to change without notice.

THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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