IRFZ24S

更新时间： 2024-02-20 02:46:46

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
9页	429K
描述
Power MOSFET

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IRFZ24S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFZ24S 数据手册

IRFZ24S, IRFZ24L, SiHFZ24S, SiHFZ24S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Advanced Process Technology

• Surface Mount (IRFZ24S, SiHFZ24S)

• Low-ProfileThrough-Hole (IRFZ24L, SiHFZ24L)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

R_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.10

Q_g(Max.) (nC)

5.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest

power capability and the last lowest possible on-resistance

in any existing surface mount package. The D²PAK is

suitable for high current applications because of its low

internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W

in a typical surface mount application. The through-hole

version (IRFZ24L, SiHFZ24L) is available for low-profile

applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

SiHFZ24S-GE3

IRFZ24SPbF

D²PAK (TO-263)

SiHFZ24STRR-GE3

I²PAK (TO-262)

IRFZ24LPbF

SiHFZ24L-E3

Lead (Pb)-free

SiHFZ24S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMIT

UNIT

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

100

3.7

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

E_AS

P_D

_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

V/ns

°C

T_A= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

- 55 to + 175

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 400 μH, R_g= 25 , I_AS= 17 A (see fig. 12).

c. I_SD 17 A, dI/dt  140 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFZ24, SiHFZ24 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90366

S11-1063-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ24S, SiHFZ24S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ24SPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ24STRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 17A I(D) \| TO-263AB
IRFZ24STRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 17A I(D) \| TO-263AB
IRFZ24V	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)
IRFZ24VL	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ24VLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ24VPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ24VS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ24VSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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