IRLZ24NPBF

更新时间： 2024-11-27 12:02:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体栅极晶体管开关脉冲栅极驱动局域网
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9页	771K
描述
Logic-Level Gate Drive, Advanced Process Technology

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IRLZ24NPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	0.76	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	68 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD - 94998

IRLZ24NPbF

• Lead-Free

www.irf.com

2/11/04

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLZ24NS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLZ24NSL	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRLZ24NSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLZ24NSTRL	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRLZ24NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ24NSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ24NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLZ24PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLZ24PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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