IRFZ24NSPBF

更新时间： 2024-02-15 16:09:48

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HEXFET Power MOSFET

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IRFZ24NSPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRFZ24NSPBF 数据手册

PD - 95147

IRFZ24NS/LPbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Surface Mount (IRFZ24NS)

l Low-profilethrough-hole(IRFZ24NL)

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

V_DSS= 55V

R_DS(on)= 0.07Ω

l Fully Avalanche Rated

^lLead-Free

I_D= 17A

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs

arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely

efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

The D²Pak is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The

D²Pak is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate

up to 2.0W in a typical surface mount application.

Thethrough-holeversion(IRFZ24NL)isavailableforlow-

profileapplications.

T O -262

Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10Vꢀ

Pulsed Drain Current ꢀ

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

3.8

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.30

± 20

W/°C

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energyꢀ

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

4.5

6.8

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**

Typ.

–––

Max.

3.3

Units

R_θJC

R_θJA

°C/W

04/19/04

12 3 4 5 6 7...10

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IRFZ24NSPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFZ24NSTRLPBF	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
AUIRFZ24NS	INFINEON	功能相似	Advanced Planar Technology Low On-Resistance
IRFZ34NSPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRFZ24NSPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ24NSTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ24NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ24NSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ24PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFZ24PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ24S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ24S	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ24S, SiHFZ24S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ24SPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ24STRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 17A I(D) \| TO-263AB

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