是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.53 |
其他特性: | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 71 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (ID): | 17 A |
最大漏源导通电阻: | 0.07 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 68 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AUIRFZ24NS | INFINEON |
功能相似 ![]() |
Advanced Planar Technology Low On-Resistance |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFZ24NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRFZ24PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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IRFZ24PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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IRFZ24S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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IRFZ24S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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IRFZ24S, SiHFZ24S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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IRFZ24SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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IRFZ24STRL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
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IRFZ24STRR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
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IRFZ24V | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A) |
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