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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFZ24NSTRLPBF
IRFZ24NSTRLPBF PDF预览

IRFZ24NSTRLPBF

更新时间： 2024-02-04 21:23:57
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 362K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFZ24NSTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.53
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：71 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ24NSTRLPBF 数据手册

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PD - 9.891A  
IRFZ24S/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount (IRFZ24S)  
l Low-profile through-hole (IRFZ24L)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 60V  
RDS(on) = 0.10Ω  
G
ID = 17A  
S
Description  
Third Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate  
up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRFZ24L) is available for low-  
profile applications.  
2
D
Pa k  
T O -2 6 2  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
17  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
12  
A
68  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.7  
W
W
Power Dissipation  
60  
Linear Derating Factor  
0.40  
± 20  
100  
4.5  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
°C  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
Typ.  
–––  
Max.  
2.5  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
–––  
8/25/97  
1234567...10

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IRFZ24NSTRLPBF 替代型号

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