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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.63 | 雪崩能效等级（Eas）： | 85 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A | 最大漏源导通电阻： | 5.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD2N40TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD2N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQD2N50B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQD2N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD2N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQD2N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQD2N60C | KERSEMI |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
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| FQD2N60C_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQD2N60CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET |
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| FQD2N60CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET |
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