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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD2N60CTM
FQD2N60CTM PDF预览

FQD2N60CTM

更新时间： 2024-09-24 12:04:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 742K
描述
N-Channel QFET® MOSFET

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FQD2N60CTM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.25
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 A最大漏极电流 (ID)：1.9 A
最大漏源导通电阻：4.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.6 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD2N60CTM 数据手册

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April 2013  
FQD2N60C / FQU2N60C  
N-Channel QFET® MOSFET  
600 V, 1.9 A, 4.7 Ω  
Features  
Description  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar  
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduce on-state  
resistance, and to provide superior switching performance and  
high avalanche energy strength. These devices are suitable for  
switched mode power supplies, active power factor correction  
(PFC), and electronic lamp ballasts.  
• 1.9 A, 600 V, R  
= 4.7 Ω (Max.) @ V = 10 V,  
GS  
DS(on)  
ID = 0.95 A  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)  
Low Crss (Typ. 4.3 pF)  
100% Avalanche Tested  
RoHS Compliant  
D
D
!
G
G
●
D
◀
▲
S
S
●
●
!
G
I-PAK  
D-PAK  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQD2N60C / FQU2N60C  
Unit  
V
V
Drain-Source Voltage  
600  
1.9  
DSS  
I
Drain Current  
- Continuous (T = 25°C)  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.14  
7.6  
A
C
(Note 1)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
Gate-Source Voltage  
± 30  
120  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
I
1.9  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.4  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)*  
2.5  
D
A
Power Dissipation (T = 25°C)  
44  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.35  
-55 to +150  
300  
W/°C  
°C  
°C  
T , T  
J
STG  
T
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
FQD2N60C / FQU2N60C  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.  
2.87  
50  
θJC  
θJA  
θJA  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD2N60C / FQU2N60C Rev. C0  
www.fairchildsemi.com  
1
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FQD2N60CTM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD2N60CTF FAIRCHILD

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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