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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.22 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD3NK90ZT4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 900 V, 4.1 Ω typ., 3 A Zener-prote |
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| STD2NK90ZT4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
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| FQD2N90 | FAIRCHILD |
功能相似 |
900V N-Channel MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD2N90TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQD2N90TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，1.7 A，7.2 Ω，DPAK |
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| FQD2P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
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| FQD2P25TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FQD2P25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FQD2P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
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| FQD2P40_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
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| FQD2P40TF | ROCHESTER |
获取价格 |
1.56A, 400V, 6.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FQD2P40TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.56A I(D), 400V, 6.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| FQD2P40TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-1.56 A，6.5 Ω，DPA |
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