是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.15 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 120 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 1.6 A |
最大漏源导通电阻: | 5.3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6.4 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD2N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQD2N60C | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQD2N60C | KERSEMI |
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N-Channel QFET MOSFET |
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FQD2N60C_09 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQD2N60CTF | FAIRCHILD |
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N-Channel QFET® MOSFET |
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FQD2N60CTM | FAIRCHILD |
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N-Channel QFET® MOSFET |
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FQD2N60CTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,1.9 A,4.7 Ω,DPAK |
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FQD2N60CTM_WS | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQD2N60CTM-WS | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,1.9 A,4.7 Ω,DPAK |
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FQD2N60TF | ROCHESTER |
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2A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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