5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.15 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.56 A | 最大漏源导通电阻： | 6.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.24 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD2P40TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.56A I(D), 400V, 6.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FQD2P40TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-1.56 A，6.5 Ω，DPA |
|
| FQD30N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQD30N06_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQD30N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQD30N06TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQD30N06TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，22.7 A，45 mΩ，DPAK |
|
| FQD3N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQD3N25TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQD3N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
