5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FQD2P40TM
FQD2P40TM PDF预览

FQD2P40TM

更新时间： 2024-02-18 13:23:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 735K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.56A I(D), 400V, 6.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQD2P40TM 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：0.72
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.56 A最大漏极电流 (ID)：1.56 A
最大漏源导通电阻：6.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6.24 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD2P40TM 数据手册

 浏览型号FQD2P40TM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQD2P40TM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQD2P40TM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQD2P40TM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQD2P40TM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQD2P40TM的Datasheet PDF文件第7页 
November 2013  
FQD2P40  
P-Channel QFET® MOSFET  
-400 V, -1.56 A, 6.5 Ω  
Description  
Features  
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar  
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduce on-state  
resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are  
suitable for switched mode power supplies, audio amplifier,  
DC motor control, and variable switching power applications..  
• -1.56 A, -400 V, RDS(on) = 6.5 Ω (Max.) @ VGS = -10 V,  
ID = -0.78 A  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 10 nC)  
Low Crss (Typ. 6.5 pF)  
100% Avalanche Tested  
RoHS Compliant  
S
D
G
G
S
D-PAK  
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
Symbol  
Parameter  
FQD2P40TM  
-400  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
-1.56  
-0.98  
-6.24  
± 30  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
120  
mJ  
A
-1.56  
3.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-4.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
38  
W
C
- Derate above 25°C  
0.3  
W/°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQD2P40TM  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
3.29  
110  
50  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD2P40 Rev. C0  
1
12345678

中文翻译

下载PDF

FQD2P40TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD2P40 FAIRCHILD

类似代替

 400V P-Channel MOSFET

与FQD2P40TM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD30N06 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel MOSFET
FQD30N06_09 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel MOSFET
FQD30N06L FAIRCHILD

获取价格

 		60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD30N06TF FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel MOSFET
FQD30N06TM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，22.7 A，45 mΩ，DPAK
FQD3N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQD3N25TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD3N30 FAIRCHILD

获取价格

 		300V N-Channel MOSFET
FQD3N30TF ROCHESTER

获取价格

 		2.4A, 300V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD3N30TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FQD2P40TM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证