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FQD3N50CTF

更新时间： 2024-01-25 12:53:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 914K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQD3N50CTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

FQD3N50CTF 数据手册

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March 2008  
®
QFET  
FQD3N50C / FQU3N50C  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
2.5A, 500V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 10 nC)  
Low Crss ( typical 8.5pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS compliant  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies, active power factor  
correction, electronic lamp ballast based on half bridge  
topology.  
D
D
G
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Units  
V
FQD3N50C/FQU3N50C  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
500  
2.5  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
A
1.5  
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
10  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 30  
200  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.5  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
3.5  
mJ  
V/ns  
W
4.5  
35  
- Derate above 25°C  
0.28  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
3.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
50  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD3N50C / FQU3N50C Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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FQD3N50CTF 替代型号

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FQD3N50CTM FAIRCHILD

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 500V N-Channel MOSFET

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