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FQD4N20LTM PDF预览

FQD4N20LTM

更新时间： 2024-02-28 17:37:29
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 518K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD4N20LTM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
雪崩能效等级（Eas）：52 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3.2 A
最大漏源导通电阻：1.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD4N20LTM 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQD4N20L / FQU4N20L  
200V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
3.2A, 200V, R  
= 1.35Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.0 nC)  
Low Crss ( typical 6.0 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, and motor control.  
Low level gate drive requirement allowing direct  
operation from logic drivers  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD4N20L / FQU4N20L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
3.2  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.02  
12.8  
± 20  
52  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
3.2  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
3.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
30  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.24  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
4.17  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

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FQD4N20LTM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD7N20TM ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPA
BSP297 INFINEON

功能相似

 SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

与FQD4N20LTM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD4N20TF FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD4N20TF ROCHESTER

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 		3A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD4N20TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD4N20TM ONSEMI

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 		N 沟道，QFET® MOSFET，200V，3A，1.4Ω
FQD4N20TM-SB82153 FAIRCHILD

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 		Transistor
FQD4N25 FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
FQD4N25TM_WS FAIRCHILD

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FQD4N25TM-WS ONSEMI

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FQD4N50 FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FQD4N50_09 FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET

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