5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FQD5N20L
FQD5N20L PDF预览

FQD5N20L

更新时间： 2024-09-27 22:25:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 532K
描述
200V LOGIC N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQD5N20L 数据手册

 浏览型号FQD5N20L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQD5N20L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQD5N20L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQD5N20L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQD5N20L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQD5N20L的Datasheet PDF文件第7页 
December 2000  
TM  
QFET  
FQD5N20L / FQU5N20L  
200V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
3.8A, 200V, R  
= 1.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.8 nC)  
Low Crss ( typical 6.0 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, and motor control.  
Low level gate drive requirement allowing direct  
operation from logic drivers  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD5N20L / FQU5N20L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
3.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.4  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
15.2  
± 20  
60  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
3.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
3.7  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
37  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.29  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.4  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

FQD5N20L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD10N20 FAIRCHILD

功能相似

 200V N-Channel MOSFET

与FQD5N20L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD5N20L_08 FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD5N20LTF ROCHESTER

获取价格

 		3.8A, 200V, 1.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD5N20LTM ROCHESTER

获取价格

 		3.8A, 200V, 1.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD5N20LTM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，3.8 A，1.2 Ω，D
FQD5N20TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD5N20TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD5N30 FAIRCHILD

获取价格

 		300V N-Channel MOSFET
FQD5N30TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD5N30TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD5N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET

与FQD5N20L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证