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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 0.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A | 最大漏源导通电阻： | 2.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12.4 A | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD4P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
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| FQD4P40TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-2.7 A，3.1 Ω，DPAK |
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| FQD4P40TM-AM002 | ONSEMI |
获取价格 |
P-Channel QFET® MOSFET -400V, -2.7A, 3.1Ω, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL |
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| FQD5N15 | FAIRCHILD |
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150V N-Channel MOSFET |
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| FQD5N15TF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD5N15TF | ROCHESTER |
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4.3A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FQD5N15TM | ROCHESTER |
获取价格 |
4.3A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FQD5N15TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 150 V，4.3 A，800 mΩ，DPAK |
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| FQD5N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| FQD5N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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