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FQD4N50TM PDF预览

FQD4N50TM

更新时间： 2024-01-24 10:30:12
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 693K
描述
500V N-Channel QFET®, 3LD, TO-252, NOT COMPLIANT TO JEDEC TO-252 VAR. AB, SURFACE MOUNT (DPAK), 2500/TAPE REEL

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FQD4N50TM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
雪崩能效等级（Eas）：260 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：2.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD4N50TM 数据手册

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FQD4N50TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD4N50TF FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FQD4N50TM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD4N50TM_WS FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel QFET&reg;, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE RE
FQD4N50TM-AM002 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FQD4P25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V P-Channel MOSFET
FQD4P25TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQD4P25TM FAIRCHILD

获取价格

 		250V P-Channel MOSFET
FQD4P25TM-WS ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，QFET® MOSFET，-250V，-3.1A，2.1Ω
FQD4P40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V P-Channel MOSFET
FQD4P40TM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-2.7 A，3.1 Ω，DPAK
FQD4P40TM-AM002 ONSEMI

获取价格

 		P-Channel QFET&reg; MOSFET -400V, -2.7A, 3.1&Omega;, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL
FQD5N15 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel MOSFET

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