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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 37 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2887 | ROHM |
功能相似  |
Switching (200V, 3A) |
|
| FQD10N20 | FAIRCHILD |
功能相似 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD5N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQD5N20L_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQD5N20LTF | ROCHESTER |
获取价格 |
3.8A, 200V, 1.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| FQD5N20LTM | ROCHESTER |
获取价格 |
3.8A, 200V, 1.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| FQD5N20LTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，3.8 A，1.2 Ω，D |
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| FQD5N20TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD5N20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQD5N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQD5N30TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQD5N30TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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